171-15-082,MOSFET N, 200 V 18 A 150 W TO-220AB, IRF640NPBF, IR
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MOSFET N, 200 V 18 A 150 W TO-220AB, IRF640NPBF, IR

IR IRF640NPBF
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制造商：
IR IR
制造商产品编号：
IRF640NPBF
仓库库存编号：
171-15-082
技术数据表：
 
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IRF640NPBF技术参数

Polarity N
Drain source voltage 200 V
Drain current 18 A
Closing resistance 0.15 Ohm
Housing type TO-220AB

IRF640NPBF产品信息

Operating temperature -55...+175 °C
Power dissipation 150 W
Recovery time 241 ns
Related Manufacturers: Texas Instruments | ST | Linear Technology | Microchip | Crydom
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Related Categories: Transistors - MOSFETs | Interfaces | Transistors - IGBT | Transistors | Drivers
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IRF640NPBF产地与重量

Country of origin Taiwan (TW)
Manufacturer IR
Gross weight (incl. package) 2.0 Gram
Dimensions (incl. package) 35 x 10 x 8 MM
Customs number 8541290000
UNSPSC (v5.03) 32111603
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